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发表于 2019-4-23 09:55:35
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关于电赛公开课
《模拟电路基础知识讲座》由 TI 邀请青岛大学傅强老师录制，深入浅出的介绍了模拟电路及电源相关的基础知识，帮助大家由浅入深地了解产品，更轻松的进行产品的选型和设计。
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本节文字课程相关视频：
1. MOSFET的导通电阻
2. MOSFET的主要参数
1导通电阻
电流由D至S之间导电原理是单一N型半导体导电，所以是电阻导电的性质，这与三极管导通压降0.7V的电导调制效应相区别。
如图1所示为 TI 公司出品的低RDS系列 MOSFET 开关。图中选择RDS小于等于1.7mOhms，筛选出5种产品，它们的耐压在25V至40V之间。
由于低耐压下，场效应管的导通电阻RDS可以做到非常小（图1所示的mΩ级），所以这类 MOSFET 特别适用于低压小功率电路。
2 额定电压
MOSFET 的额定电压就是UDS的耐压值，高耐压对应高RDS（高导通损耗），低耐压对应低RDS。
1) 导通电阻RDS就是导体导电规律，由导体截面积和厚度决定导通电阻大小。
2) 增大厚度会带来的耐压值增加，但甘蔗没有两头甜，厚半导体材料也意味着DS之间的导通电阻RDS增大。
3) 综合耐压和导通电阻考量，高电压场合（市电）是否使用 MOSFET 需权衡利弊。
一般 MOSFET 有应用于低压的20~60伏系列产品，也有最高到500V应用于市电电压等级的产品。如表1所示为国际整流器公司（IR）的80V~300V的部分 MOSFET 产品型号，重点比较耐压值（VBRDSS）与导通电阻（RDS）的对应关系。
从表1可以看出，基本规律就是耐压越高导通电阻越大。同种耐压值的 MOSFET 根据工艺和设计的不同，导通电阻也可差上几倍，当然与此同时价格可能也会差几倍。
3 额定电流
MOSFET 的额定电流与导通电阻RDS密切相关，可以想象，某封装和散热条件下的 MOSFET，其散热功率就是一定的。导通电阻越大，则额定电流越小。
如表2所示为国际整流器公司（IR）的 TO220 封装的部分 MOSFET 产品型号的导通电阻（RDS）与额定电流（ID）对照表。
| 表2 IR公司 TO220 封装 MOSFET 产品参数表 |
对表2进行P=I*I*R简单计算，可得 TO220 封装的散热功耗大约在1W，漏极电流ID增大一倍导通电阻RDS必须减小四倍。
与电压能够瞬间击穿器件不同，过流损坏器件实际是热累计的过程，所以瞬时电流（脉冲）很大并不一定会损坏器件。所以，MOSFET 还有一个漏极脉冲电流IDM/IPEAK 的参数，一般可达5~10倍额定电流ID，脉冲持续时间参考具体芯片说明书。如图2所示为TI公司某系列 MOSFET 额定电流参数，Id Max 为通常的额定电流（连续），ID/IPEAK 即为额定脉冲电流值。
欢迎大家留言作答以下题目，答案将在下期公开课公布。在答案公布前作答正确的同学，还将获得5枚赫兹币奖励哦~
课后问答：
选择题：
1、MOSFET 用于同步整流时，电流方向是什么？
A. 自S流向D
B .自D流向S
C .两个方向都有可能
2、低压电路中，损耗最低的开关器件是什么？
A .晶闸管
B .GTR
C .IGBT
D .MOSFET
判断题：
3、MOSFET 可以承受短时间的适量过电压。
4、MOSFET 可以承受短时间的适量过电流。
参考答案：
1、 A 2、 D 3、错误 4、正确
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