关于电赛公开课
《模拟电路基础知识讲座》由 TI 邀请青岛大学傅强老师录制，深入浅出的介绍了模拟电路及电源相关的基础知识，帮助大家由浅入深地了解产品，更轻松的进行产品的选型和设计。
本课程共计80节视频内容，视频解析文字课40节，每周二、周四更新，欢迎同学观看学习。
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本节文字课程相关视频：
场效应管概述
晶体管包括三极管和场效应管。学好三极管电路已经很不容易，如果过早的引入场效应管知识，无疑是不明智的。
在学习完三极管电路以后，适度的将场效应管与三极管做一番对比讲解，则是事半功倍的学习方法。
1 场效应管的符号
学习场效应管遇到的第一个难题就是FET种类太多，符号复杂。为了便于理解最精华的知识，我们将场效应管的符号简化为一个三端器件，如图1所示。场效应管的栅极G、漏极D和源极S分别可对应三极管的基极B、集电极C和发射极E。
2场效应管与三极管的相似之处
对于三极管，控制信号是加载在BE之间，而场效应管是加载在GS之间。参考图2，三极管的“主电流”为集电极电流IC，场效应管的“主电流”为漏极电流ID。N型三极管（NPN）的主电流是自C流向E，P型（PNP）则反过来由E流向C。N型场效应管（N沟道）的主电流是自D流向S，P型（P沟道）也是反过来。
3场效应管与三极管的不同之处
三极管通常等效为流控电流源，即基极电流iB控制集电极电流iC。场效应管（FET）则对应等效为压控电流源，即栅源电压uGS控制漏极电流iD。
| 图3三极管与场效应管控制量与被控制量对比 |
三极管属于“线性控制”，即控制信号iB与被控信号iC两者之间的关系近似正比（iC=βiB），输出特性曲线是等间距的。
而场效应管控制信号uGS与被控制信号iD两者之间的关系不是正比关系而是二次曲线，输出特性曲线间隔逐渐增大，如图5所示。
4 场效应管的转移特性曲线
由于场效应管的压控电流特性不是线性的，因此就有了所谓的转移特性曲线来描述两者的关系。为避免脑容量不够，这里我们只讲N沟道场效应管。利用转移特性曲线，我们将区分三种场效应管的特性。
如图6所示为三种类型的场效应管的转移特性曲线。无论是哪种FET，特性曲线都是二次曲线的一部分，而且二次曲线的底点均位于横轴上。
参考图7，结型场效应管的控制电压uGS介于UGS（0ff)和0V之间。当短接GS时，结型FET实际上就是一个最简单省事的恒流源！
参考图8，耗尽型场效应管的控制电压uGS可正可负，这样就意味着它用于放大电路可以不用直流偏置。即信号电压为0的时候，管子就已经是导通的（对比三极管的uBE总需要大于0.7V）。无需直流偏置电路，这将会给电路设计带来极大的便利。通常场效应管构成的放大电路应优先选择，耗尽型场效应管。
参考图9，增强型场效应管与普通三极管的“特性”最为接近，同样需要控制电压高过某一个值时，才开始导通。在信号放大的应用中，这其实是个劣势。增强型场效应管更适合用于开关电路，例如用于斩波电路的开关。
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课后问答：
1、应用于放大电路，宜采用哪种类型的场效应管？
2、应用于开关电路，宜采用哪种类型的场效应管？
参考答案：
1.耗尽型场效应管
2.增强型场效应管
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